9.1 - Tabelas de Energia de Ativação

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Tabela 9.1.1: Energia de Ativação para Semicondutores de Silício.

Localização Mecanismo de Falha Fatores Relevantes Parâmetro de Aceleração Ea (cV)

SiO2 e Interface

Si - SiO2

Acúmulo de carga nas superfícies Íons móveis, Íons voltagem, Íons temperatura Temperatura 1.0
Ruptura do óxido (TDDB) Campo elétrico, temperatura Campo elétrico, temperatura 0.35
Acúmulo de elétrons quentes Campo elétrico Campo elétrico, temperatura -0.06
Metalização de Alumínio    Eletromigração de Al Temperatura, densidade, corrente, tamanho grãos  Temperatura, densidade, corrente  0.5
Eletromigração de Si no Al 0.9
Corrosão eletrolítica Íons contam.(Cl-), umidade, voltagem, temperatura Umidade, voltagem, temperatura 0.79
Degradação de contatos Metais, temperatura, impurezas Temperatura 1.8
Interfaces entre metais Formação de compostos intermetálicos Temperatura, impurezas Temperatura 1.0 (Au-Al)

 

Tabela 9.1.2: Energias de Ativação Genéricas (Médias).

Tecnologia Ea (eV)
C.I. digital bipolar 0.8
C.I. linear bipolar 0.7
C.I. MOS 0.6
C.I. VLSI 0.5
Transistores e diodos 0.96
LED 0.8
C.I. falhas prematuras 0.44

 

Fonte: D.S. Peck/O.D. Trapp (1987). Accelerated Testing Handbook. Technology Associats, 51 Hillbrook Drive, Portolla Valley, California 94025, USA, (415)9418272.

 

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